MMBT4401LT1G NPN 600 мА 40 В 300 мВт SOT-23 (SOT-23-3) Биполярные транзисторы – BJT RoHS

Краткое описание:

Произв.часть: MMBT4401LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Пакет: СОТ-23(СОТ-23-3)
Описание: Биполярные транзисторы — BJT 600 мА 60 В NPN
Спецификация: Пожалуйста, свяжитесь с нами.

Отправить письмо нам

Информация о продукте

Теги продукта

Параметр продукта

Атрибут	Ценить
Производитель:	ПО Полупроводник
Категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
RoHS:	Подробности
Тип монтажа:	СМД/СМТ
Посылка/Чехол:	СОТ-23-3
Полярность транзистора:	НПН
Конфигурация:	Одинокий
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.:	40 В
Напряжение коллектор-база VCBO:	60 В
Эмиттер-База Напряжение VEBO:	6 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	0,75 В
Максимальный ток коллектора постоянного тока:	0,6 А
Pd - рассеиваемая мощность:	225 мВт
Произведение на усиление пропускной способности fT:	250 МГц
Минимальная рабочая температура:	- 55 С
Максимальная рабочая температура:	+ 150 С
Ряд:	ММБТ4401Л
Упаковка:	Разрезать ленту
Упаковка:	Мышькатушка
Упаковка:	Катушка
Высота:	0,94 мм
Длина:	2,9 мм
Технологии:	Si
Ширина:	1,3 мм
Марка:	ПО Полупроводник
Непрерывный ток коллектора:	0,6 А
DC Collector/Base Gain hfe Мин.:	20
Тип продукта:	BJT - биполярные транзисторы
Заводская упаковка:	3000
Подкатегория:	Транзисторы
Единица измерения:	0,001058 унций